隨著AI的應用，DRAM & NAND是非常重要且不可缺少的元件，作為半導體產業成長最快的領域，記憶體技術在密度、效率和傳輸速率方面持續快速提升。在建構最新一代DDR5記憶體以及各種更高層數的NAND時，開發人員在設計驗證和顆粒特性階段都面臨前所未有的挑戰。一方面，DDR與NAND介面是採單端訊號，單一儲存設備需要大量的訊號走線；另一方面，DDR5和NAND等最新標準需要極其精確的測量設置，並包括接收器壓力要求，以確保產品的可靠度。
Introspect Technology DDR & LPDDR & GDDR Memory test system
NplusT NAND characterization Solution
